收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQPF20N06L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQPF20N06L

Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 379
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQPF20N06L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQPF22N30 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 0+1000 MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF22P10 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF27N25 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 997 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF20N06 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF1P50 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQPF1N60T Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQPF20N06L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 7.85A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别