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FQP9N08L

Fairchild Semiconductor TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

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FQP9N08L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 4.65A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

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