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FQP6N80

Fairchild Semiconductor TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQP6N80相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQP6N80C Fairchild Semiconductor TO-220-3 645+10000 MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP6N90 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP6N90C Fairchild Semiconductor TO-220-3 533 MOSFET N-CH 900V 6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP6N70 Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+1000 MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP6N60C_F080 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP6N60C Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQP6N80参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.95 欧姆 @ 2.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 25V
功率 - 最大值:158W
安装类型:通孔

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