收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQP5N80
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQP5N80

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQP5N80相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQP5N90 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP5P10 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP5P20 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP5N60C Fairchild Semiconductor TO-220-3 830 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP5N50C Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP5N40 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 4.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQP5N80参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 2.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1250pF @ 25V
功率 - 最大值:140W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别