收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQP33N10
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQP33N10

Fairchild Semiconductor TO-220-3 921
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQP33N10相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQP33N10L Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQP34N20 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP34N20L Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQP32N20C_F080 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP32N20C Fairchild Semiconductor TO-220-3 985 MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP32N12V2 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQP33N10参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 25V
功率 - 最大值:127W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别