收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQP15P12
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQP15P12

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与FQP15P12相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQP16N15 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP16N25 Fairchild Semiconductor TO-220-3 813+1000 MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP16N25C Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP14N30 Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+2000 MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP14N15 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP13N50C Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQP15P12参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):120V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别