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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQP13N10
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FQP13N10

Fairchild Semiconductor TO-220-3 865 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQP13N10相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQP13N10L Fairchild Semiconductor TO-220-3 1700 MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQP13N50 Fairchild Semiconductor TO-220-3 867 MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP13N50C Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP13N06L Fairchild Semiconductor TO-220-3 733+2000 MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQP13N06 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 13A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP12P20 Fairchild Semiconductor TO-220-3 874 MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQP13N10参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 6.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):450pF @ 25V
功率 - 最大值:65W
安装类型:通孔

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