收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQP11N40
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQP11N40

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与FQP11N40相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQP11N40C Fairchild Semiconductor TO-220-3 907 MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP11N50CF Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP11P06 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP10N60C Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP10N20CTSTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQP10N20C Fairchild Semiconductor TO-220-3 695 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQP11N40参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:147W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别