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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQI7N10LTU
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FQI7N10LTU

Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQI7N10LTU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQI7N10TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI7N60TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 0+1000 MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI7N80TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI6N60CTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI6N50TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI6N40CTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQI7N10LTU参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 3.65A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:通孔

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