收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQI5N30TU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQI5N30TU

Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与FQI5N30TU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQI5N40TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI5N50CTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI5N60CTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 0+1000 MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI5N20TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI5N20LTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQI5N15TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQI5N30TU参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别