收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQI4N25TU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQI4N25TU

Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与FQI4N25TU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQI4N80TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 0+8000 MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI4N90TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI4P40TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI4N20TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI4N20LTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQI47P06TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQI4N25TU参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.75 欧姆 @ 1.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别