收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQI34P10TU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQI34P10TU

Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FQI34P10TU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQI3N25TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI3N30TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI3N40TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI32N20CTU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI32N12V2TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQI2P25TU Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQI34P10TU参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 16.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2910pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别