收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQE10N20LCTU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQE10N20LCTU

Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
参考包装数量:60
参考包装形式:管件

与FQE10N20LCTU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQH140N10 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQH18N50V2 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQH44N10 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 48A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQE10N20CTU Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD9N25TM_F080 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD9N25TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+5000 MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQE10N20LCTU参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 25V
功率 - 最大值:12.8W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别