收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQD6N50CTF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQD6N50CTF

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQD6N50CTF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQD6N50CTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+30000 MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD6N50CTM_F080 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD6N60CTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD6N40TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD6N40TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD6N40CTM_NBEA002 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+2500 MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQD6N50CTF参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别