收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQD3N60CTM_WS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQD3N60CTM_WS

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQD3N60CTM_WS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQD3N60TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD3N60TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD3P20TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD3N50CTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD3N50CTF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD3N40TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 400V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQD3N60CTM_WS参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):565pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别