型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FQD2N100TM |
Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 18715+7500 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FQD2N30TM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQD2N40TF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQD2N40TM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQD2N100TF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQD24N08TM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQD24N08TF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |