收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQD2N100TM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQD2N100TM

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 18715+7500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与FQD2N100TM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQD2N30TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD2N40TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD2N40TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD2N100TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD24N08TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD24N08TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQD2N100TM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 欧姆 @ 800mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别