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FQD12P10TF

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQD12P10TF_NB82105 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+20000 MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD12P10TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD12P10TM_AS004 Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 100V 12A DPAK ...
FQD12N20TM_F080 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 9A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD12N20TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500+2500 MOSFET N-CH 200V 9A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQD12N20TF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 9A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQD12P10TF参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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