收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQB7N80TM_AM002
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQB7N80TM_AM002

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQB7N80TM_AM002相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQB7P06TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB7P20TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB7P20TM_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800+1600 MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB7N65CTM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB7N60TM_WS Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+800 MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB7N60TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+1600 MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQB7N80TM_AM002参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 3.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1850pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别