收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQB6N40CTM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQB6N40CTM

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQB6N40CTM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQB6N50TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB6N60CTM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB6N60TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB6N25TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB6N15TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB65N06TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQB6N40CTM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):625pF @ 25V
功率 - 最大值:73W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别