| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FQB50N06LTM |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1600+12000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB50N06TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800+21600 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQB55N06TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB55N10TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 13132 | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FQB4P40TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB4P25TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FQB4N90TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
