收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQB2N80TM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQB2N80TM

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQB2N80TM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQB2N90TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB2NA90TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB2N60TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB2N50TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB2N30TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQB2N80TM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.3 欧姆 @ 900mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别