收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQB22P10TM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQB22P10TM

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 13600+4800
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FQB22P10TM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQB22P10TM_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800+5600 MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB24N08TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB25N33TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB20N06TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQB20N06LTM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FQB1P50TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1599+2400 MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQB22P10TM参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别