型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FQB19N20CTM |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 800 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK 参考包装数量:800 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FQB19N20LTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 2400 | MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FQB19N20TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 0+1600 | MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FQB1N60TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQB19N10TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQB19N10LTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FQB17P10TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |