收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQA7N90M_F109
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQA7N90M_F109

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FQA7N90M_F109相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQA85N06 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA8N100C Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 428 MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA8N80C Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N90M Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N90_F109 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N90 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQA7N90M_F109参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1880pF @ 25V
功率 - 最大值:210W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别