收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQA7N80_F109
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQA7N80_F109

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FQA7N80_F109相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQA7N80C Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N80C_F109 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+900 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N90 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N80 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA7N60 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA70N15 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+27000 MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQA7N80_F109参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1850pF @ 25V
功率 - 最大值:198W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别