收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQA40N25
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FQA40N25

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 433+5850
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FQA40N25相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FQA44N08 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA44N10 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA44N30 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA38N30 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA36P15_F109 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FQA36P15 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 263 MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FQA40N25参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4000pF @ 25V
功率 - 最大值:280W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别