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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > FMMT634TA
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FMMT634TA

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简述:TRANSISTOR DARL NPN 100V SOT23-3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与FMMT634TA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FMMT634TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR DARL NPN SOT23-3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):900mA ...
FMMT6517TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 TRANSISTOR NPN HV 350V SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
FMMT6517TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN HV SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
FMMT625TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR SW NPN SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
FMMT625TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 TRANS SS NPN 150V 1000MA SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
FMMT624TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR SW NPN SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...

FMMT634TA参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):900mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):960mV @ 5mA,1A
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大:625mW
频率 - 转换:140MHz
安装类型:表面贴装

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