收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > FMMT413TD
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FMMT413TD

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1000
询价QQ:
简述:TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FMMT413TD相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FMMT415TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS AVALANCHE NPN 100V SOT23-3 晶体管类型:NPN 雪崩模式 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电...
FMMT415TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3 晶体管类型:NPN 雪崩模式 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电...
FMMT415TD Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 675 TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3 晶体管类型:NPN 雪崩模式 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电...
FMMT413TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3 晶体管类型:NPN 雪崩模式 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
FMMT413TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT23-3 晶体管类型:NPN 雪崩模式 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
FMMT3906TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP PNP -40V -200MA SOT23-3 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...

FMMT413TD参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN 雪崩模式
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 10mA,10V
功率 - 最大:330mW
频率 - 转换:150MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别