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FMG2G300LS60E

Fairchild Semiconductor 7PM-HA
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简述:IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-HA
参考包装数量:10
参考包装形式:

与FMG2G300LS60E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FMG2G300US60 Fairchild Semiconductor 7PM-IA IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-IA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G300US60E Fairchild Semiconductor 7PM-HA IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-HA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor 7PM-IA IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G200US60 Fairchild Semiconductor 7PM-HA IGBT MOLDING 600V 200A 7PM-HA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G150US60E Fairchild Semiconductor 7PM-GA IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-GA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...
FMG2G150US60 Fairchild Semiconductor 7PM-HA IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-HA IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V V...

FMG2G300LS60E参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):300A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):-
功率 - 最大:892W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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