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FJV3111RMTF

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 鐢佃瘽锛�0755-83217923
询价QQ:鍜屾垜鍗虫椂浜よ皥
简述:TRANSISTOR NPN 40V 100MA SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FJV3111RMTF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FJV3112RMTF Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 40V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
FJV3113RMTF Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
FJV3114RMTF Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
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FJV3108RMTF Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

FJV3111RMTF参数资料

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晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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