收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDZ3N513ZT
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDZ3N513ZT

Fairchild Semiconductor 4-UFBGA,WLCSP 3000+21000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDZ3N513ZT相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDZ4670 Fairchild Semiconductor 20-FLFBGA(30 位置) MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ4670S Fairchild Semiconductor 20-FLFBGA(30 位置) MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ493P Fairchild Semiconductor 9-WFBGA MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ391P Fairchild Semiconductor 6-UFBGA,WLCSP MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ375P Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP 5000+2580000 MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ372NZ Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDZ3N513ZT参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):462 毫欧 @ 300mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):85pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别