收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDZ299P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDZ299P

Fairchild Semiconductor 9-WFBGA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDZ299P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDZ371PZ Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP 15000 MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ372NZ Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ375P Fairchild Semiconductor 4-XFBGA,WLCSP 5000+2580000 MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ298N Fairchild Semiconductor 9-WFBGA MOSFET N-CH 20V 6A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ294N Fairchild Semiconductor 9-WFBGA MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ293P Fairchild Semiconductor 9-WFBGA MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDZ299P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):742pF @ 10V
功率 - 最大值:1.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别