收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDZ192NZ
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDZ192NZ

Fairchild Semiconductor 6-UFBGA,WLCSP
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDZ192NZ相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDZ193P Fairchild Semiconductor 6-UFBGA,WLCSP 8842 MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor 6-UFBGA,WLCSP MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ201N Fairchild Semiconductor 12-WFBGA MOSFET N-CH 20V 9A BGA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ191P Fairchild Semiconductor 6-UFBGA,WLCSP 20000 MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDZ1905PZ Fairchild Semiconductor 6-UFBGA,WLCSP MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDY6342L Fairchild Semiconductor SOT-563,SOT-666 3000 IC LOAD SWITCH 8V -0.83A SC89-6 类型:高端开关 输出数:1 Rds(开):500 毫欧 内部开关:是 电流限制:...

FDZ192NZ参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1220pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别