收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDW2508P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDW2508P

Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOP
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDW2508P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDW2508PB Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2510NZ Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 6.4A 8-TSSO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2511NZ Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 7.1A 8-TSSO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2507NZ Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2507N Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2506P Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 5.3A 8-TSSO FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDW2508P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:2644pF @ 6V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别