收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDW2504P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDW2504P

Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDW2504P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDW2506P Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 5.3A 8-TSSO FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2507N Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2507NZ Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2503NZ Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2503N Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDW2502P Fairchild Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 4.4A 8-TSSO FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDW2504P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:43 毫欧 @ 3.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1030pF @ 10V
功率 - 最大:600mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别