收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDU6688
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDU6688

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与FDU6688相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDU6N50TU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 6A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDU7030BL Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU7N60NZTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 0+80640 MOSFET N-CH 600V SGL IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDU6680 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 12A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU6676AS Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 90A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU6612A Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDU6688参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):84A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3845pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别