收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDU3N40TU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDU3N40TU

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 6401+20160
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
参考包装数量:70
参考包装形式:管件

与FDU3N40TU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDU6030BL Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU6296 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU6512A Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU3706 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU3580 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDU2572 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDU3N40TU参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):225pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别