型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDT434P |
Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 32000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 参考包装数量:4000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FDT439N | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
FDT457N | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 2500 | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDT458P | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 4440 | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDT3N40TF | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FDT3612 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 12000 | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDSS2407 | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 0+2500 | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |