收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDS9945
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS9945

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 37500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 3.5A SO-8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS9945相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS9953A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7518+35000 MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS9958 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5401 MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS9958_F085 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS9934C Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDS9933BZ Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS9933A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDS9945参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:420pF @ 30V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别