收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS8882
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS8882

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS8882相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS8884 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500 MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8896 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 9281 MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS89141 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS8880 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8878 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000+157500 MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8876 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS8882参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):940pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别