收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS8874
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS8874

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS8874相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS8876 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8878 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000+157500 MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8880 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8870 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS8858CZ Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 20000 MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDS8842NZ Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS8874参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3990pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别