收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDS6990AS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS6990AS

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS6990AS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS6993 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 30/12V 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6994S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1974 MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6990A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6986AS Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDS6984S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDS6990AS参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:550pF @ 15V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别