收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS6570A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS6570A

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 14412
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:

与FDS6570A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS6572A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6574A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 27500 MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6575 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 17500 MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6375 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 60000 MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6299S Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS6298 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2234 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS6570A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 15A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4700pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别