收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS4780
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS4780

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS4780相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS4885C Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 40V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):4...
FDS4895C Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N P-CH 40V 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):4...
FDS4897AC Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDS4770 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS4685 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS4675_F085 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 3281 MOSFET P-CH 40V 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS4780参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 10.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1686pF @ 20V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别