收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDS3512
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDS3512

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDS3512相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDS3570 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS3572 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS3580 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS3170N7 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS2734 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDS2672_F085 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDS3512参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):634pF @ 40V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别