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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDR842P
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FDR842P

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简述:MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDR842P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FDR842P参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5350pF @ 6V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装

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