收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDPF8N50NZF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDPF8N50NZF

Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 838+1000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FDPF8N50NZF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDPF8N50NZT Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V8A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF8N50NZU Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 4863 MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF8N60ZUT Fairchild Semiconductor TO-220-3 全封装,成形引线 MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF8N50NZ Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 899 MOSFET N-CH 500V 8A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF7N60NZ Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 995 MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF7N50U Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDPF8N50NZF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):735pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别