收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDPF6N60ZUT
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDPF6N60ZUT

Fairchild Semiconductor TO-220-3 全封装,成形引线 0+6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FDPF6N60ZUT相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDPF770N15A Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF79N15 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 150V 79A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF7N50 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF680N10T Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 0+8000 MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF5N60NZ Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 1000 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF5N50UT Fairchild Semiconductor TO-220-3 全封装,成形引线 0+34000 MOSFET N-CH 500V TO-220F-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDPF6N60ZUT参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):865pF @ 25V
功率 - 最大值:33.8W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别