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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDPF16N50T
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FDPF16N50T

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简述:MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FDPF16N50T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDPF16N50UT Fairchild Semiconductor TO-220-3 全封装,成形引线 MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF17N45T Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 17A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF17N60NT Fairchild Semiconductor TO-220-3 全封装,成形引线 998+9000 MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF16N50 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 1035 MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF15N65YDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDPF15N65 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 814 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDPF16N50T参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1945pF @ 25V
功率 - 最大值:38.5W
安装类型:通孔

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