收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDP5N50
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDP5N50

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FDP5N50相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDP5N50NZ Fairchild Semiconductor TO-220-3 1033+2000 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP5N60NZ Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+1200 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP6030BL Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+1600 MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDP5800 Fairchild Semiconductor TO-220-3 444+1200 MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDP5690 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDP5680 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 40A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDP5N50参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 25V
功率 - 最大值:85W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别